首页 > 学历类考试
题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

用Born近似法计算如下势散射的微分截面:

用Born近似法计算如下势散射的微分截面:

用Born近似法计算如下势散射的微分截面:请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“用Born近似法计算如下势散射的微分截面:”相关的问题
第1题
水管壁的正截面是一个圆环,设它的内径为R0,壁厚为d,利用微分计算这个圆环面积的近似值(d相当小).
水管壁的正截面是一个圆环,设它的内径为R0,壁厚为d,利用微分计算这个圆环面积的近似值(d相当小).

点击查看答案
第2题
某养牛场购进了120头肉牛,购进时平均体重100千克。现从中抽取10头,记录重量,3个月后再次测量,结
果如下:

用回归估计法计算120头牛现在的平均重量,计算其方差的估计,并和简单估计的结果进行比较。

点击查看答案
第3题
用0.618法求以下问题的近似解已知函数的单谷区间[0.5,3.5],要求最后区间精度ε=0.8。

用0.618法求以下问题的近似解已知函数的单谷区间[0.5,3.5],要求最后区间精度ε=0.8。

点击查看答案
第4题
甲公司采用应付税款法核算所得税,适用的所得税税率为33%。2002年度,甲公司发生如下相关经济业务

(1)按现行会计制度计算的全年利润总额为1000000元,其中包括国库券利息收入40000元。

(2)核定的全年计税工资为800000元,全年实发工资850000元。

(3)用银行存款实际缴纳所得税300000元。

要求:

(1)计算甲公司2002年度应纳税所得额。

(2)计算甲公司2002年度应交所得税。

(3)编制甲公司确认应交所得税、实际缴纳所得税和年末结转所得税费用的会计分录(“应交税金”科目要求写出二级明细科目)。(8分)

点击查看答案
第5题
图示变宽度平板,承受轴向载荷F作用。已知板件厚度为δ,长度为l,左、右端的截面宽度分别为b1
b2,材料的弹性模量为E,试用能量法计算板件的轴向变形。

点击查看答案
第6题
求解平方根√A的迭代函数定义如下:其中,p是A的近似平方根,e是结果允许误差。试写出相应的递归算

求解平方根√A的迭代函数定义如下:

其中,p是A的近似平方根,e是结果允许误差。试写出相应的递归算法,并消除递归。

点击查看答案
第7题
计算下列微分形式的外微分:

点击查看答案
第8题
2.某企业单步骤生产甲产品,该产品按实际成本计价。该企业采用定额比例法将产品生产成本
在完工产品与月末在产品之间进行分配。

2010年12月份有关甲产品成本资料如下:本月完工产品直接材料定额成本31 500元、直接人工定额成本19 600元、定额制作费用16 800元;月末在产品直接材料定额成本4 500元、直接人工定额成本2 800元、定额制造费用2 400元。其他生产费用资料见“产品成本明细账”。 产品成本明细账产品名称:甲产品

2010年12月 单位:元

项目

直接材料

直接人工

制造费用

合计

12

1

月初在产品成本

6 000

3 800

2 900

12 700

要求:

(1)计算本月完工产品的直接材料成本、直接人工成本和制作费用。

(2)填列答题卡指定位置中的“产品成本明细账”各空白栏目的金额。

(3)编制甲产品完工入库的会计分录。

(答案中的金额单位用元表示)

点击查看答案
第9题
采用两种方法对同一批复方丹参片中隐丹参酮测定结果如下:用TLC法测得结果(μg):68.7,68.2,69.1,68.4;用HPLC法测得结果(μg):69.5,69.7,70.1,68.9,70.0。已知两种方法的精密度无显著性差异,问能否用TLC法代替HPLC法?求出HPLC法平均值的置信区间(置信度95%)。

点击查看答案
第10题
准确称取1.00mmol的指示剂HIn5份,分别溶解于1.0L的不同pH的缓冲溶液中,用1cm吸收池在650nm波长
下测得如下数据:

计算:(1)该波长下In-的摩尔吸光系数?(2)指示剂HIn的pKa

点击查看答案
第11题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改