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第1题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)
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第2题
晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。（)
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第3题
当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。此题为判断题(对，错)。
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第4题
二极管由1个PN结,1个管壳和2个电极引线构成。（)
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第5题
扩散结深是指PN结所在的几何位置到硅片表面的距离。（)
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第6题
PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。（)
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第7题
考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。（)
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第8题
PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。（)
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第9题
PN 结只要加上正向电压(无论多大)，就一定会导通。()此题为判断题(对，错)。
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第10题
直流连接电路中由两个电容，一个放电电阻和短路晶闸管组成。（)
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第11题
当承受正向电压时，PN结电流是（)。
A.多数载流子形成的
B.近似为零
C.少数载流子形成的
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