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[单选题]
周期性非正弦电路中的平均功率，等于直流分量功率与各次谐波平均功率（)。
A.平方和的平方根
B.之和
C.和得平方根
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A.X(t)的均值为直流分量
B.X(t)的方差为消耗在单位电阻上的直流功率
C.总的平均功率等于交流功率加直流功率
D.X(t)的二阶矩等于方差加均值的平方
A.能用正弦或余弦函数来描述其运动规律的周期性振动
B.不能用正弦或余弦函数来描述其运动规律的周期性振动
C.不能用一项正弦或余弦函数来描述其运动规律的周期性振动
D.不能用简单函数或简单函数的组合来描述其运动规律的非周期性振动
A.差模输入信号绝对值与共模输入信号绝对值之比
B.输出量中差模成分与共模成分之比
C.差模放大倍数绝对值与共模放大倍数绝对值之比
D.交流放大倍数绝对值与直流放大倍数绝对值之比
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
