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[主观题]

绒面结构及作用;单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。

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第1题
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。

A.不等值

B.等值

C.线性值

D.非线性值

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第2题
刻蚀是用()或()方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料,从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程。

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第3题
气体扩散法是将含()的气体在高温下向硅片进行扩散,形成(),一般都用这一方法。
气体扩散法是将含()的气体在高温下向硅片进行扩散,形成(),一般都用这一方法。

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第4题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?()

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第5题
扩散结深是指PN结所在的几何位置到硅片表面的距离。()
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第6题
所有集成电路封装归纳以下几种()。

A.周边引线

B.底部引线

C.硅片直接安装在PCB上

D.都不对

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第7题
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20µm厚的表面层。
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20µm厚的表面层。

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第8题
对于大型工件的机体、床身、立柱、主轴箱体,其(),加工时需要较大的场地和能承受其重力及切削力作用的大型机床。

A.结构复杂

B.加工表面多

C.精度要求高

D.形体尺寸大

E.质量大

F.装夹困难

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第9题
关于叠合板节点及面层混凝土浇筑说法正确的是()。

A.混凝土浇筑前,应将模板内及叠合面垃圾清理干净

B.叠合板表面清理干净后,应在混凝土浇筑前12h对节点及叠合面浇水湿润

C.叠合板表面浇筑混凝土前0.5h吸干积水

D.叠合板节点采用较原结构同一标号的无收缩混凝土浇筑。

E.节点混凝土采用插入式振捣棒振捣

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第10题
楼地面、墙面、天棚面技术要求正确的是():

A.水泥地面面层与基层应结合牢固,无空鼓、裂纹

B.空鼓面积不应大于600cm2,且每自然间(标准间)不多于3处可不计

C.水泥地面面层表面应洁净,无裂纹、脱皮、麻面、起砂等缺陷

D.墙面各抹灰层之间及抹灰层与基体之间必须粘接牢固,抹灰层应无脱层、空鼓和裂缝

E.现浇结构的外观质量不应有一般缺陷

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第11题
黑白相纸按反差性能分为()。A.光面、绸面、绒面B.中性感光纸、特别硬性C.绒面感光纸、中性感光纸、光泽

黑白相纸按反差性能分为()。

A.光面、绸面、绒面

B.中性感光纸、特别硬性

C.绒面感光纸、中性感光纸、光泽感光纸

D.特别软性、软性、中性、硬性、特别硬性

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