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[单选题]

我国在砷化镓太阳能电池研究方面技术领先,砷(As)和镓(Ga)都是第四周期的元素,分别属于VA族和IIIA族,下列说法中错误的是()

A.原子半径:Ga>As>P

B.热稳定性:NH3>PH3>AsH3

C.酸性:H3AsO4>H2SO4>H3PO4

D.Ga(OH)3可能是两性氢氧化物

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C、酸性:H3AsO4>H2SO4>H3PO4

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第1题
哪种太阳能电池效率最高()

A.单晶硅电池

B.多晶硅太阳电池

C.非晶硅太阳电池

D.砷化镓太阳电池

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第2题
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

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第3题
化学在推动我国科技进步,保障人民身体健康,促进社会发展上发挥着重要的作用。下列说法不正确的是()。

A.中国“天和”号核心舱采用柔性三结砷化家太阳能电池阵,砷化家属于半导体材料

B.华为公司首创石墨烯液冷散热技术,所使用材料石墨烯是一种二维碳纳米材料

C.“奋斗者”号潜水器外壳材料为钛合金,钛合金耐高压、耐腐蚀属于复合材料

D.我国成功研制出多款疫苗,采用冷链运输疫苗,以防止蛋白质变性

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第4题
砷化镓的湿法刻蚀液是磷酸。()
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第5题
属于绝缘介质膜的是()。

A.砷化镓

B.二氧化硅

C.氮化硅

D.多晶硅

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第6题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第7题
湿法刻蚀中,()的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。

A.硅

B.铝

C.二氧化硅

D.砷化镓

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第8题
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第9题
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
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第10题
1960年7月,梅曼利用()发光材料,成功制造并运转了第一台激光器。

A.二氧化碳

B.砷化镓

C.红宝石晶体

D.铷玻璃

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第11题
属于绝缘体的是()。

A.金属、石墨、人体、大地

B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、锗、砷化镓、磷化铟

D.各种酸、碱、盐的水溶液

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