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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在PN节之间加(),多数载流子的扩散增强,有电流通过PN节,就形成了PN节导电。

A.前向电压

B.后向电压

C.正向电压

D.反向电压

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第1题
当承受正向电压时,PN结电流是()。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第2题
当承受反向电压时,PN结电流是()。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第3题
PN结的内电场对载流子的扩散运动起()作用,对漂移运动起()作用。

A.阻碍

B.促进

C.促进

D.阻碍

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第4题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第5题
当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()

A.无穷大

B.毫安数量级

C.0mA

D.微安数量级

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第6题
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第7题
在热平衡时,也就是在给定温度下,没与任何外加刺激,流经p-n结的电子和空穴净值为()。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.零

D.电荷

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第8题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第9题
以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第10题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第11题
考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。()
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