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更多“画出NO的分子轨道能级示意图，计算键级及自旋磁矩，试比较NO…”相关的问题
(1)画出系统的ASM图。
(2)画出系统的状态转换图。
(3)用Verilog HDL语言描述其工作过程。
提示：数字锁系统的示意图如图题11.4.1所示，由于开锁过程比较简单，所以没有划分控制单元和处理单元。L0、L1、L2用于从到高位设置密码，另外三个输入端Re，En，Ki中，Re是复位端，当Re=
1时，系统复位进入初始状态;En是控制井关，Ki是数据输入端，当按一下En键使En=1时，从Ki端输入一个数码，再按一下En键，再送一个数码，直到将三个数码送完为止。每输入一个数据都要同原设定的密码比较，依次从低位到高位进行。若相等则准备接收下一位数码，若不相等，系统应进入错误状态。输入数码的位数也是开锁的条件。当输入数码的位数和位值与相应密码都相等时，系统发出开锁信号Un=1，锁被打开，否则Er=1表示开锁过程错误。为保密起见，中间错误状态不显示，并且不能返回初态，直到三个数码全部送完为止。
在使用“绘图”工具栏中的“自选图形”命令作图时，如果按住（）键，画出的图形 会从中心向四周扩展。
A.Ctrl
B.Ctrl+Shift
C.Alt
D.Shift
A 从一个单元格的一角只能画出一条斜线
B 从一个单元格的一角可画出两条以上的斜线
C 在有斜线的单元格中，可直接输入文本，而文本会自动避开斜线。
D 在有斜线的单元格中，为使文本不在斜线上，应将插入点放在文本前，再按Space键
某I级铁路,限制坡度ip=10‰，有一凸形变坡点，该点计算标高为100.00m,相邻坡度il=+2‰,试计算对称式抛物线型的竖曲线切线长及该点的标高。
非线性特性如图2-7-20所示，试计算非线性特性的描述函数,并在复平面上画出负倒描述函数-1/N(x)。
键的主要失效形式是压溃或磨损，因此设计时一般只作()强度或耐磨性计算。
A.拉伸
B.挤压
C.剪切
(1)求静态工作点和跨导;
(2)画出微变等效电路，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(3)若CS=0，重复(2)的计算。
已知系统结构图如图4-10所示。
(1)当a=3时，画出Kg从0变化到+∞时的根轨迹，确定系统无超调时Kg的取值范围及系统的临界稳定时的Kg值;
(2)当Kg=3时，画出a从0变化到+∞时的根轨迹，确定系统
时的a值。
