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[主观题]

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

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第1题
题7.24所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路,设场效应管的夹断电压UP=2V,饱和漏极
电流IDSS=2mA,各电容的容抗均可忽略。

(1)求静态工作点和跨导;

(2)画出微变等效电路,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(3)若CS=0,重复(2)的计算。

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第2题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第3题
判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第4题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第5题
若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。

A.正,下弯,n型

B.负,上弯,n型

C.负,上弯,p型

D.负,下弯,p型

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第6题
简述场效应管电流源的基本原理。

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第7题
绝缘栅双极型晶体管属于电流控制元件。()
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第8题
NMOS管的栅源电压小于开启电压时,NMOS处于()。

A.可变电阻区

B.截止区

C.截止区

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第9题
两耦合电感,已知L1=0.8H,L2=0.7H,M=0.5H,电阻不计,正弦电压源的电压有效值不变,则两者反向串联时的电流为顺向串联时电流的__倍。

A.5

B.0.2

C.2

D.0.5

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第10题
如果线路送出有功和受进无功相等,则线路电流、电压相位关系为()

A.电压超前电流45°

B.电流超前电压45°

C.电流超前电压135°

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第11题
扩散是半导体掺杂的重要方法之一,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。()

此题为判断题(对,错)。

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