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第7题
并行接口芯片8255的（)引脚用于内部I/O端口（PA，PB，PC及控制口)选择。（信号后的#表示低电平有效，下同)
A.D1，D0
B.A1，A0
C.RD#，WR
D.#PA，PB
第8题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第10题
某二级反应A(g)+B(g)→2D(g)在t,V恒定的条件下进行.当反应物的初始浓度为CA.o=Cs,o=0.
某二级反应A（g)+B（g)→2D（g)在t,V恒定的条件下进行.当反应物的初始浓度为CA.o=Cs,o=0.
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2mol·dm-3时,反应的初始速率为-(deA/dt)t=o=5x10-2mol·dm-1·s-1,求速率常数kA及kD.
第11题
在图P3.21所示电路中R1、R2和C构成输入滤波电路.当开关s闭合时,要求门电路的输入电压
在图P3.21所示电路中R1、R2和C构成输入滤波电路.当开关s闭合时,要求门电路的输入电压
当开关S断开时,要求门电路的输人电压
,试求R1和R2的最大允许阻值.
为74LS系列TTL反相器,它们的高电平输入电流
低电平输入电流
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当开关S断开时,要求门电路的输人电压,试求R1和R2的最大允许阻值.为74LS系列TTL反相器,它们的高电平输入电流低电平输入电流.
