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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

造成上芯粘取墨点芯片的原因有()。

A.WaferPR设置不当

B.DISPPR设置不当

C.芯片来料异常

D.BondPR设置异常

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更多“造成上芯粘取墨点芯片的原因有()。”相关的问题
第1题
上芯后兰膜检查项目有()。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜,造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第2题
造成上芯卡料的原因有()

A.出料位置调试不当

B.料盒变形

C.抽检产品后放置不到位

D.框架变形

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第3题
测量粘片胶厚度时,应在芯片表面测量()点。

A.芯片中心一个点

B.芯片对角线的两个点

C.芯片四个角的四个点

D.芯片任意位置取一点

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第4题
上芯高倍镜检的项目有()

A.产品有无压划伤

B.崩单晶

C.顶针印迹

D.旧吸嘴有无粘片胶或外来物沾污状况

E.粘片胶厚度

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第5题
三点一线校准不到位可能造成以下哪些异常()。

A.沾污

B.芯片粘歪

C.崩单晶

D.翘片

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第6题
造成机械粘砂的原因有()。A.浇注温度高B.静压力低C.液态时间短D.采用旧砂

造成机械粘砂的原因有()。

A.浇注温度高

B.静压力低

C.液态时间短

D.采用旧砂

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第7题
上芯MAP调取过程,说法正确的有()。

A.调取MAP时,应由小组生产组长做二次确认

B.加工ELQFP176及VSOP8L产品时,读取MAP必须使用条码扫描读取,不得手动调用

C.在调取MAP后,应核对调出的MAP好芯片数量与中测单中数量一致方可加工

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第8题
作业员对卸下的兰膜检查项目有()。

A.漏粘好芯片

B.顶针印迹偏移

C.背崩

D.粘边缘片

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第9题
DAF膜上芯产品,粘接部位垫块温度应控制在()。

A.110~130℃

B.100~150℃

C.100~110℃

D.130~150℃

E.175℃

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第10题
上芯零容忍项目有包括()。格式:A、不使用托板B、私自倒料盒C、80°以上取产品D、私自修改工艺参数答案:
上芯零容忍项目有包括()。格式:A、不使用托板B、私自倒料盒C、80°以上取产品D、私自修改工艺参数答案:

A、不使用托板

B、私自倒料盒

C、80°以上取产品

D、私自修改工艺参数

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第11题
粘片机在粘接的过程中出现粘歪,造成的原因最可能是()。

A.胶量太小

B.顶针偏移

C.胶量太大

D.气压太大

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