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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。（)

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更多“考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子…”相关的问题

第1题

晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。（)

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第2题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第3题

如果测得三极管b，e极间和b，c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管（)。A.良好B.断路C.击穿D.以

如果测得三极管b，e极间和b，c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管()。

A.良好

B.断路

C.击穿

D.以上答案都不对

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第4题

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流（或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同，晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同，晶体管又分为______和______。

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第5题

半导体二极管有3个特性，它们是正向特性，反向特性，反向击穿特性。 ()此题为判断题(对，错)。

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第6题

整流二极管包含（)个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第7题

当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。此题为判断题(对，错)。

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第8题

硅材料的PN结压降为（)。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第9题

二极管由1个PN结,1个管壳和2个电极引线构成。（)

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第10题

扩散结深是指PN结所在的几何位置到硅片表面的距离。（)

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第11题

当承受正向电压时，PN结电流是（)。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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