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第5题
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求：驱动放大、电气()、保护IGBT。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求：驱动放大、电气（)、保护IGBT。
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第7题
在使用MOS电容器时，当栅极电压大于开启电压时，由于表面电势升高，如果周围存在电子，并迅速地聚集到电极下的半导体表面处，则称形成了对于电子的（)。
A.能带
B.耗尽层
C.势阱
D.反型层
第10题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（)。
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
第11题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
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场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
