如果结果不匹配，请 
更多“什么是MOS器件的体效应?”相关的问题
第1题
真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有一个真空管，其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类？
真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有一个真空管，其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类？
点击查看答案
第2题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（)。
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
第5题
随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压()(“升高”或“降低”)。
随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（)（“升高”或“降低”)。
点击查看答案
第6题
地铁电动列车下列描述正确的是：A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控
地铁电动列车下列描述正确的是：
A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控制2台180kW电机
B.列车具有电阻制动和再生制动功能，但当一辆动车中的一个VVVF逆变器单元故障时，该车仍具有电制动功能
C.IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件
D.VVVF装置位于拖车，每车1台
