A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
A.在绝缘体中,电子填满了所有的能带
B.在0K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
C.半导体中禁带宽度比较大
D.绝缘体的禁带宽度比较小
A.半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带
B.半导体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带
C.半导体是:上面是一个半满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带
D.半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带