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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

常温下，锗二极管的正向导通压降为（）。

A.0.3V

B.0.7V

C.1V

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第1题

二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降，硅二极管正向导通压降为（)。

A.0.1~0.3V

B.0.3~0.5V

C.0.6~0.7V

D.0.7~1V

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第2题

锗二极管的正向导通电压降约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第3题

二极管导通后，硅管管压降约为（）伏，锗管压降为（）伏。

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第4题

关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和

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第5题

如图所示，已知稳压管的稳定电压均为5.3V，稳压管正向导通时的管压降为0.7V，则输出电压为（）伏。

A.5.3

B.1.4

C.10.6

D.6

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第6题

发光二极管的正向导通电压比普通二极管()。

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第7题

二极管的主要特性是（）。

A.正向导通，反向截止

B.电阻作用

C.功率放大

D.反向导通，正向截止

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第8题

二极管从反向截止转为正向导通与从正向导通到反向截止所需的时间很长。（)

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第9题

二极管的单向导通性为正向导通,反向截止（）

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第10题

硅二极管的正向导通电压降约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第11题

二极管正向导通时，其阳极电位()于阴极电位，这就是二极管的箝位作用。

二极管正向导通时，其阳极电位（)于阴极电位，这就是二极管的箝位作用。

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