()是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中,改变材料电学性质,达到形成半导体器件的目的。
A.光刻
B.掺杂
C.刻蚀
D.金属化
A.光刻
B.掺杂
C.刻蚀
D.金属化
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用
A.冰的熔点是,水的沸点是
B.当地气压高于标准大气压
C.冰熔化和水沸腾过程中都吸热且温度不变
D.图象中的BC段,物质只是以液态方式存在
A.物体吸收热量,其温度不一定升高
B.水的饱和蒸汽压与温度有关
C.液体表面层分子间距离小于液体内部分子间距离,故液体表面存在张力
D.有一分子a从无穷远处靠近固定不动的分子b,当a、b间分子力为零时,他们具有的分子势能一定最小
E.生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素,是在常温条件下利用分子的扩散来完成
A.在一定条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其他元素
B.液体表面层的分子间距离较大,则分子间的引力和斥力都比液体内部的大
C.等温膨胀过程中,单位时间内在单位面积上碰撞气缸壁的分子数减少
D.不可能使热量从低温物体传向高温物体
E.液晶既像液体一样具有流动性,又跟某些晶体一样具有光学性质的各向异性