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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

()是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中,改变材料电学性质,达到形成半导体器件的目的。

A.光刻

B.掺杂

C.刻蚀

D.金属化

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第1题
提高半导体导电能力的最有效方法是:在半导体内掺入微量杂质。()
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第2题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质元素。
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第3题
半导体通常不具有以下特性的是()

A.对温度反应灵敏

B.对光照反应灵敏

C.掺入杂质后会改善其导电性

D.掺入杂质后改善其导热性

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第4题
当半导体掺入微量杂质后,其电阻率会显著增大。()
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第5题
N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,砷等。()
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第6题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第7题
半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。()

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第8题
缺水地区的冬季,当地有些居民靠取冰雪来获得生活用水.如图,是将一定质量的冰雪,从﹣加热到沸腾过程,温度随时间变化的图象(不考虑水中有杂质产生的影响),下列对图象分析正确的是()

A.冰的熔点是,水的沸点是

B.当地气压高于标准大气压

C.冰熔化和水沸腾过程中都吸热且温度不变

D.图象中的BC段,物质只是以液态方式存在

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第9题
下列说法正确的是()

A.物体吸收热量,其温度不一定升高

B.水的饱和蒸汽压与温度有关

C.液体表面层分子间距离小于液体内部分子间距离,故液体表面存在张力

D.有一分子a从无穷远处靠近固定不动的分子b,当a、b间分子力为零时,他们具有的分子势能一定最小

E.生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素,是在常温条件下利用分子的扩散来完成

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第10题
关于分子动理论、物体性质与物体的内能,下列说法中正确的是()

A.在一定条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其他元素

B.液体表面层的分子间距离较大,则分子间的引力和斥力都比液体内部的大

C.等温膨胀过程中,单位时间内在单位面积上碰撞气缸壁的分子数减少

D.不可能使热量从低温物体传向高温物体

E.液晶既像液体一样具有流动性,又跟某些晶体一样具有光学性质的各向异性

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第11题
()不是杂质在半导体中的扩散方式。

A.替位式

B.间隙式

C.替位-间隙式

D.跳跃式

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