题目内容
（请给出正确答案）
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
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A.当二极管完全导通后，二极管正向导通压降基本维持不变
B.正向电流无限制地増大后会造成PN结严重发热而烧毁管子
C.外加反向电压在一定范围内时，反向电流基本上维持不变，与反向电压的数值没有关系
D.普通二极管发生反向击穿后，不会造成损坏，仍可继续使用
A.没有固定要求
B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器
C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器
D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
A.G或EG（Pn）≥90%,具备质量能力
B.80%≤EG或EG（Pn）＜90%，有条件地具备质量能力
C.G或EG（Pn）＜80%，不具备质量能力
D.以上都不对
