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晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成。()

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第1题
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第2题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第3题
普通晶闸管有两个pn结。()
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第4题
晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。()
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第5题
晶闸管具有()PN结。

A.4个

B.3个

C.2个

D.5个

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第6题
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第7题
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第8题
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同,晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同,晶体管又分为______和______。

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第9题
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第10题
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第11题
PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。()
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