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[单选题]
硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（)，离（)近。
A.施主能级，导带底
B.施主能级，价带顶
C.受主能级，导带底
D.受主能级，价带顶
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更多“硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是()，离()近。”相关的问题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
简要回答下列问题：
(1)拟将下列离子转化为碳酸正盐，试说明怎样选择沉淀剂，并写出反应方程式：
(2)从二氧化硅氯化制备SiCl4，需要和焦炭共热进行反应的耦合：
而用HF对二氧化硅进行氟化制备SiF4则不需要反应的耦合：
(3)Pb与稀盐酸反应，速率很慢且反应会停止;但与浓盐酸作用时，反应容易进行。试给出合理解释。
(4)从H3BO3显酸性的机理去说明为什么H3BO3是一元弱酸。
(5)试解释下列无机含氧酸的氧化性由强到弱的原因：
HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3
(6)为什么硅不与氧化性酸反应，但又可溶于HNO3及HF混合溶液中？
(7)用平面图示的方法表示单聚硅酸根SiO44-，焦硅酸根Si2O74-，链三聚硅酸根和环六聚硅酸根。写出链n聚和环n聚多硅酸根的化学式。
(8)画简图表示乙硼烷的结构，并说明其中3中心2电子键的形成过程。
(9)硼砂Na2[B4O5(OH)4]·8H2O是四硼酸的钠盐。试说明通常将硼砂的化学式写成Na2B4O7原因。为什么硼砂溶于水形成缓冲溶液？试计算其pH。
(10)三氟化硼分子是单聚体BF3，同样属于缺电子结构的乙硼烷分子却是B2H6。或者说是二聚的BH3。从结构角度如何解释这种现象？
(11)BiI5和PbI4均不能稳定存在，却有TU3存在，试说明其原因。
(12)试比较乙硼烷、烷烃、甲硅烷三者的热稳定性，写出其受热分解的化学反应方程式。
A.全段共五句话，第一层应划在第②句与第③句之间。
B.③、④两句从两方面回答了第①句提出的问题。
C.第②句暗示研究太阳能源问题的重要性。
D.第⑤句是从③、④两句引申出来的，并引发了下文。
使用聚合铝或硫酸铝进行预处理的作用是能________。
A.除掉水中悬浮物和胶体杂质
B.除掉水中硅化合物
C.除掉水中硬度
