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[单选题]
以“凡半导体都是良导体”和“有些半导体是金属”为前提构造三段论，则（)。
A.可推出“有些金属是良导体”
B.会犯“大项扩大”的错误
C.会犯“小项扩大”的错误
D.会犯“中项不周延”的错误
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A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献
B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D.通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
