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[主观题]
在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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A.VOIP MOS值统计,M2000-性能-测量管理-MGW-IP QoS任务-VOIP MOS值统计
B.IP承载RTP报文统计,M2000-性能-测量管理-MGW-IP QoS任务-IP承载RTP报文统计
C.IP QoS值测试1,M2000-性能-测量管理-MGW-IP QoS任务-IP QoS值测试1