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第2题
催化剂再生后，在重新投入使用前，需要测定（)技术指标，以综合评价其性能。
A.活性金属含量，助剂含量
B.催化剂上炭、硫等杂质含量
C.催化剂比表面积、孔容、孔径、颗粒大小分布以及压碎强度、堆比等物理化学表征参数
D.催化剂上的水含量
第5题
关于温度对二甲苯异构化反应的影响，下列说法正确的是（)。
A.高温下，脱烷基和裂解反应容易进行
B.温度升高，催化剂积炭速度加快，催化剂的活性下降速度加快
C.由于异构化反应是微放热反应，因此升高温度后，对二甲苯的平衡浓度变化不大
D.二甲苯异构化反应是吸热反应，降低反应温度，对反应有利
第8题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射
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B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
