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[填空题]

加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,二极管()。

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第1题
加在二极管上正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,二极管()。
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第2题
当加在二极管上的电压增加10%时,流过二极管的电流()。

A.增加10%

B.增加大于10%

C.增加小于10%

D.几乎不增加

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第3题
晶体管工作在截止状态时其条件是()。

A.发射结正向偏置,集电结反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压或反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第4题
从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极管处于导通状态。

A.0V

B.死区电压

C.反向击穿电压

D.正向电压

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第5题
二极管得()描绘了加在二极管上得电压与流过二极管得电流得关系。
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第6题
二极管两端加上正向电压时()导通。

A.一定

B.超过死区电压

C.超过0.3V

D.超过0.7V

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第7题
二极管加正向电压,但没有电流,说明二极管特性在()。

A.正向导通

B.死区

C.反向截止

D.反向击穿

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第8题
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第9题
设计开关电源,选择最合适的拓扑形式主要考虑的因数是()。
设计开关电源,选择最合适的拓扑形式主要考虑的因数是()。

A、输入输出是否需要变压器隔离

B、加在变压器一次侧或电感上的电压值是多大

C、通过开关管的峰值电流

D、加在开关管上的最高峰值电压

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第10题
一般来说硅二极管的死区电压大于锗二极管的死区电压。()
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第11题
当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区时,而且所受正向电压大于其门坎电压时,则该晶体二极管相当于()。

A.断开的开关

B.接通的开关

C.大电阻

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