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第1题
对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
第2题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第3题
在交流回路中关于电感和电容的下列说法正确的是（)。A.电容、电感随交流电频率增大,容抗感抗增大B.
在交流回路中关于电感和电容的下列说法正确的是()。
A.电容、电感随交流电频率增大,容抗感抗增大
B.电容、电感随交流电频率减小，容抗感抗减小
C.交流电频率增大，容抗增大，感抗减小
D.交流电频率减小，容抗增大，感抗减小
