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谐振功率放大器的特点是：晶体管基极偏压VBB______，而工作在丙类状态，集电极电流为______，其导通角θ______，故放大器具有很高的效率；放大器负载采用______，用以______，实现______获得大功率输出。
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如题图为谐振功率放大器的电路图。其中，电容C0为旁路电容，R1为产生自偏压的电阻，RFC为高频扼流圈，R1为负载电阻，LC回路谐振于输入信号vi(t)的频率fc。若晶体管的转移特性如题图所示，输入信号vi(t)=Vimcos2πfct。已知晶体管集电极电流余弦脉冲的峰值为20mA，流通角为60°，试计算自偏压VB的值、电阻R1的值、输入电压的幅度Vim和输出电压vo(t)中频率为fc分量的幅度(假定RL=1kΩ)。
某谐振功率放大器的基极电源电压VBB=-0.2V，导通电压Ubz=0.6V，晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.4S，集电极电源电压VCC=24V，谐振阻抗Rp=50Ω，输入电压信号ub(t)的振幅Ubm=1.6V，输出功率Po=1W。求集电极电流最大值ICM、输出电压振幅Ucm和集电极效率ηc，并判断放大器工作于什么状态。
直流偏置电压VBB=0.8V，RL=3.9Ω，L1(W1)=10mH，L2(W2)=90mH，变压器耦合系数k=0.9999。当输入信号vi(t)=0.1cos(2πx10³t)(V)时，试画出输出电压波形，并求二次、三次谐波失真系数。
在某一晶体管谐振功率放大器中，已知集电极电源电压VCC=24V，集电极脉冲电流中的直流分量IC0=200mA，输出功率Po=4W，电压利用系数ξ=0.95。试求：集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、通角θc。
格控制扩散结深的方法来控制沟道长度，以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短，栅漏间的()较小，其工作频率可达到20GHz。
谐振功率放大器原来工作在临界状态，若集电极回路稍有失谐，谐振功率放大器的IC0、Ic1m将如何变化？PC将如何变化？有何危险？
