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[主观题]

已知放大电路中,3个MOS管的3个电极的电位如下表所示,其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及

已知放大电路中,3个MOS管的3个电极的电位如下表所示,其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。

MOS管UGS(th)或UGS(off)UG/VUS/VUD/V管 型工作状态
V1-405-5
V243-2-1.5
V3-30010
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第1题
增强型MOS管放大电路,为什么不可采用自给栅偏压的结构形式?
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第2题
在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管

B.NPN 型锗管

C.PNP 型硅管

D.PNP 型锗管

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第3题
在一放大电路中,三极管正常工作。测得三个电极的电位U1、U2、U别为:U1=6V、U2=3V、U3=2.3V,则该三极管是()

A.PNP

B.NPN

C.硅管

D.锗管

E.1是基极,2是发射极,3是集极

F.1是集极,2是基极,3是发射极

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第4题
在一放大电路中,三极管正常工作。测得三个电极的电位U1、U2、U别为:U1=3V、U2=10.3V、U3=10V,则该三极管是()

A.PNP

B.NPN

C.硅管

D.锗管

E.1是发射极,2是集电极,3是基极

F.1是集电极,2是发射极,3是基极

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第5题
在一放大电路中,三极管正常工作。测得三个电极的电位U1、U2、U别为:U1=-6V、U2=-2.3V、U3=-2V,则该三极管是()

A.PNP

B.NPN

C.硅管

D.锗管

E.1是集电极,2是基极,3是发射极

F.1是发射极,2是集电极,3是基极

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第6题
某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位U1、U2、U3最有可能是下列哪组数据?()

A.U1=6V,U2=11.3V,U3=12V

B.U1=3V,U2=2.8V,U3=12V

C.U1=3.5V,U2=2.8V,U3=12V

D.U1=6V,U2=11.8V,U3=12V

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第7题
测得工作在放大电路中几个晶体三极管三个电极电位u1、u2、u3分别为下列各组数值。判断它们是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并确定电极e、b、c⑴u1=3.5V、u2=2.8V、u3=12V⑵u1=3V、u2=2.8V、u3=12V⑶u1=6V、u2=11.3V、u3=12V⑷u1=6V、u2=11.8V、u3=12V。
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第8题
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的I≇

图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;

(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.

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第9题
在开关电源中,使用功率MOS管而不是用晶体管或双晶体管,这是因为MOS管有很多性能上的优势,主要表现在();

A.放大状态下

B.低频状态下

C.高频状态下

D.饱和状态下

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第10题
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。

A、互补MOS与非门电路

B、CMOS与非门电路

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第11题
共发射极放大电路中的NPN三极管电位最高的电极是()。
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