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在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，RS=10kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，IDSS=0.9m，UGS(off)2=-4V，gm=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数
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在题11.2图所示的整流滤波电路中，已知U2=20V，求下列情况下A、B两点间的电压：(1)电路电路正常工作;(2)电容C开路;(3)负载RL开路;(4)二极管D1开路。
由N沟道耗尽型场效应管构成的差动放大电路如图6-16所示。VT1、VT2特性相同，饱和电流IDSS=1.2mA，夹断电压Up=-2.4V。稳压管的UDZ=6V，三极管的UBE=0.6V，Rd=80kΩ， Re=54kΩ，RL=240kΩ，UDD=15V，-UEE=-15V。试计算：
(1) VT1管的工作电流ID1和G、S间电压UGS1；
(2) 差模电压放大倍数Aud。
开的瞬间，电压表两端的电压。
题7.4图(a)所示电路为集电极——基极偏置放大电路，设三极管的β值为50，VCC=20V，RC=10kΩ，RB=330kΩ。
(1)估算电路的静态工作点;
(2)若接上2kΩ的负载电阻，计算电压放大倍数和输入电阻。
在图9.15所示放大电路中，已知RC=2kΩ，RE=2kΩ，硅晶体管的β=30，rbe=1kΩ，试画出该放大电路的微变等效电路，推导出由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数，求出Ui=1mV时的Uo1和Uo2。
在下图(a)所示电路中，已知晶体管为硅管，β=100，厄尔利电压|VA|=100V，其他参数已标在图中。试求管子的静态电流IBQ、ICQ、IEQ和电压VCEQ的值，画出小信号交流等效电路并计算等效电路中的参数rπ、gm和rce的值。
电路及参数如下图所示。试回答下列问题：
(1)D1D4的作用是，电容C1的作用是;
(2)T管的作用是，集成运放A的作用是;
(3)稳压管DZ提供，电阻R 1、R2和RP构成;
(4)设输入交流电压有效值V2=20V，R1=1k，R2=Rp=2k，电位器的中心抽头在中间位置，稳压管的稳定电压为VZ=6V，试计算A、C和E点的电位。
