![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/m_q_title.png)
[主观题]
在图所示结构中,已知:P=4kN,q=3kN/m,M=2kN·m,BD=CD=2m,AC=CB=4m,θ=30°;A为固定端约束。试用虚位移原理求:
在图所示结构中,已知:P=4kN,q=3kN/m,M=2kN·m,BD=CD=2m,AC=CB=4m,θ=30°;A为固定端约束。试用虚位移原理求:
查看答案
![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/solist_ts.png)
在图所示结构中,已知:P=4kN,q=3kN/m,M=2kN·m,BD=CD=2m,AC=CB=4m,θ=30°;A为固定端约束。试用虚位移原理求:
题11-20图(a)所示机构中,沿斜面向上作纯滚动的圆柱体A和鼓轮O均为均质物体,各重为P和Q,半径均为R,绳子不可伸长,其质量不计,斜面倾角为0,如在鼓轮上作用一常力偶矩M。试求:
(1)鼓轮的角加速度。
(2)绳子的拉力。
(3)轴承O处的约束力。
(4)圆柱体与斜面间的摩擦力(不计滚动摩擦)。
A.金属Q的遏止电压大于金属P的遏止电压
B.金属Q的逸出功大于金属P的逸出功
C.从金属板Q逸出的光电子的最大初动能为eu2
D.当电源电压为-u1时,金属板Q上有光电子逸出
已知图示各梁的载荷P、q、M0和尺寸a。(1)列出梁的剪力方程和弯矩方程;(2)作剪力图和弯矩图;(3)确定½Q½max和½M½max。
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.
知VCC=5V,试求下列条件下的PL,PD,ηc(运用图解法):(1)RL=10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)RL=5Ω,IBQ同(1)值,ICM=ICQ;(3)RL=5Ω,Q点在负载线中点,激励同(1)值;(4)RL=5Ω,Q点在负载线中点,充分激励。