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更多“某一半导体材料的禁带宽度为3.1电子伏特，则该半导体本征吸收…”相关的问题
第3题
下列关于能带结构的说法中，错误的是（)。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
第4题
关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（)
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第6题
下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（）。
A.在绝缘体中，电子填满了所有的能带
B.在0K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
C.半导体中禁带宽度比较大
D.绝缘体的禁带宽度比较小
第7题
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右，认为是最合适的，Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（)左右，认为是最合适的，Eg为（)的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
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第11题
关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？（)
A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带
B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
