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第1题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)
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第2题
假设一硅二极管在0.7V的恒压降下运行，当温度在-30oC到50oC之间变动时，求二极管的最大电流与最小电流之比。使用指数模型，其中看出最大电流与最小电流之比约为62.56。
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第3题
锗晶体管的导通压降|UBE|约为（)。
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第4题
晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。（)
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第6题
扩散结深是指PN结所在的几何位置到硅片表面的距离。（)
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第7题
当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。此题为判断题(对，错)。
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第8题
PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。（)
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第9题
二极管由1个PN结,1个管壳和2个电极引线构成。（)
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第10题
对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
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第11题
PN结的内电场对载流子的扩散运动起（）作用，对漂移运动起（）作用。
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