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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第1题
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第2题
关于PN结说法正确的是()。

A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动

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第3题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第4题
()反映的是载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。

A.扩散率

B.导电率

C.迁移率

D.电阻率

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第5题
一电子在电场中运动,其运动方程为x=3t,y=12-3t²(SI)。(1)计算电子的运动轨迹;(2)计算t=1s时电子的切向加速度、法向加速度及轨道上该点处的曲率半径;(3)在什么时刻电子的位矢与其速度矢量恰好垂直?(4)在什么时刻电子离原点最近?

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第6题
以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第7题
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动。
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第8题
()是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
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第9题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。
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第10题
下列说法正确的是()

A.温度为0℃的物体也有内能

B.扩散现象表明分子在不停的做无规则运动

C.组成物质的分子之间存在引力和斥力

D.柳絮飞扬说明分子在不停地做无规则运动

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