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第2题
一个电容器的规格是“10μF、50V”，则（）
A.这个电容器加上50V电压时，电容才是10μF
B.这个电容器的最大电容为10μF，带电荷量较少时，电容小于10μF
C.这个电容器所加电压不能低于50V
D.这个电容器的电容总等于10μF
第9题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
