题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则()。
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（)。
A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则(…”相关的问题
不是炭化的目的是（）
A.防止在灼烧时，因温度高试样中的水分急剧蒸发使试样飞扬
B.防止糖、蛋白质、淀粉等易发泡膨胀的物质在高温下发泡膨胀而溢出坩埚
C.缩短灰化时间
D.防止碳粒易被包住，灰化不完全
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A、10307.5nm
B、1472.5nm
C、5153.8nm
D、2945.0nm
离散分布和连续分布之间的主要的差异是：
A.其中一个是不合理的概率分布；
B.连续分布总是左右对称，但是离散分布不是；
C.连续分布描述事件发生可能性的任何可能值的分布范围，与此相反，如果一个变量在一个区间上只能以特定的值来表示，那么，它就是离散的；
D.连续分布只模拟有限的随机变量，而离散分布可以模拟任何变量。
