高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET(具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严

高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET（具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严

格控制扩散结深的方法来控制沟道长度，以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短，栅漏间的()较小，其工作频率可达到20GHz。