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A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献
B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D.通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中
B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的
C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
