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[主观题]
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1.现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
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A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
A.90℃～110℃
B.100℃～120℃
C.130℃～150℃
D.150℃～160℃
电致变色器件可智能调控太阳光透过率，从而实现节能。下图是某电致变色器件的示意图。当通电时，Ag+注入到无色WO3薄膜中，生成AgxWO3，器件呈现蓝色，对于该变化过程，下列叙述错误的是()。
A.Ag为阳极
B.Ag+由银电极向变色层迁移
C.W元素的化合价升高
D.总反应为：WO3+xAg=AgxWO3
