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掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种?

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第1题
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第2题
半导体有三个主要特性,下面说法错误的是()。

A.光敏特性

B.热敏特性

C.掺杂特性

D.压敏特性

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第3题
半导体导电能力介于导体和绝缘体之间,具有()。

A.光敏性

B.热敏性

C.冷敏性

D.掺杂性

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第4题
半导体的主要特点有()。

A.在纯净的半导体材料中,电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率,而且在掺杂情况下,温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

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第5题
扩散是半导体掺杂的重要方法之一,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。()

此题为判断题(对,错)。

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第6题
关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B.在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。

C.p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。

D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

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第7题
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同,晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同,晶体管又分为______和______。

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第8题
选煤厂按选后煤炭的供应对象不同,分为炼焦煤选煤厂和动力煤选煤厂两种类型;按照选煤厂位置与矿井的关系又分为()、()、()、()等类型。
选煤厂按选后煤炭的供应对象不同,分为炼焦煤选煤厂和动力煤选煤厂两种类型;按照选煤厂位置与矿井的关系又分为()、()、()、()等类型。

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第9题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?()

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第10题
根据不同的存取方式,主存储器可以分为哪几类?轴存储器又可以分为哪几类?

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第11题
破碎顶板根据其岩性不同分为哪五种类型?

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