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[单选题]

关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第1题
薄膜电池分为:()和非晶硅薄膜电池。
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第2题
微晶硅的定义并不是那么固定的,在()附近的低温及非热平衡过程中生长,尺寸为由500nm以下的结晶粒群构成的结晶,一般可以作为非晶不均质混合材料。
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第3题
以下()不是减小涡流的常用措施。

A.增加涡流的路径

B.在普通钢中加入少量硅

C.使用质量较差的钢

D.采用非晶铁材料

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第4题
太阳能电池材料的种类有()。

A.晶体硅

B.非晶硅

C.化合物

D.纳米太阳能电池

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第5题
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学()生产氮化硅膜是历来常用的方法。
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第6题
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第7题
目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。
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第8题
关于半导体的说法中错误的是()。

A.硅是半导体

B.半导体的导电性受某些因素的影响很大

C.半导体只有硅、锗和硒三种

D.半导体的导电性能介于导体、绝缘体之间"

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第9题
非晶硅薄膜组件效率不低于()。

A.0.15

B.0.1

C.0.14

D.0.06

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第10题
产品化的非晶硅太阳能电池光电转换效率为()。

A.5%∽8%

B.8%∽11%

C.11%∽13%

D.13%∽15%

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第11题
目前大多数集成电路生产中,所采用的基本材料为()

A.单晶硅

B.非晶硅

C.锑化钼

D.硫化镉

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