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[主观题]

硅晶体三极管的饱和压降约为()V,锗晶体三极管的饱和压降约为()V。

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第1题
硅管正偏导通时,其管压降约为()

A.0.1

B.0.2

C.0.5

D.0.7

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第2题
在图P9.5所示电路中,已知T2和T4管的饱和压降|UCES|=2V,静态时电源电流可以忽略不
计.试问:

(1)负载上可能获得的最大输出功率Pom和效率ƞ各约为多少?

(2)T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各约为多少?

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第3题
BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当iC=10mA和iC=20mA时,管子的饱和压降V≇

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当iC=10mA和iC=20mA时,管子的饱和压降VCES为多少?

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第4题
二极管中,锗管正向压降比硅管小,反向漏电流比硅管大。()
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第5题
开关半导体管的饱和压降的热损耗亦称为铜损。()
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第6题
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第7题
锗晶体管的导通压降|UBE|约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第8题
在上题中,设三极管的饱和压降UCES=1V,求电源电压及电源提供的功率。

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第9题
二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降,硅二极管正向导通压降为()。

A.0.1~0.3V

B.0.3~0.5V

C.0.6~0.7V

D.0.7~1V

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第10题
晶体三极管作开关时,三极管工作在饱和及放大状态。()
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第11题
会使泵的允许吸上真空度减小的是________。A.吸入液面的大气压力降低B.所送液体饱和蒸气压力降低C

会使泵的允许吸上真空度减小的是________。

A.吸入液面的大气压力降低

B.所送液体饱和蒸气压力降低

C.泵的流量增大

D.泵进口处压降增大

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