A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
新型无机非金属材料碳化钛(TiC)、碳化硼(B4C)、氮化硅(Si3N4)等为非氧化物陶瓷,合成这些物质需要在高温条件下进行,在合成工艺中必须注意()。
A.通入充足的氧气
B.避免与氧气接触
C.不能在氮的气氛中合成
D.通入少量氧气
A.显微镜下观察到墨水中的小碳粒在不停的无规则运动,这反映了碳粒分子运动的无规则性
B.分子间的相互作用力随着分子间距离的增大,逐渐增大
C.分子势能随着分子距离的增大,逐渐减小
D.在真空、高温条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其它元素
A.在一定条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其他元素
B.液体表面层的分子间距离较大,则分子间的引力和斥力都比液体内部的大
C.等温膨胀过程中,单位时间内在单位面积上碰撞气缸壁的分子数减少
D.不可能使热量从低温物体传向高温物体
E.液晶既像液体一样具有流动性,又跟某些晶体一样具有光学性质的各向异性
A.宇航服所用的聚酯纤维属于无机非金属材料
B.高铁列车所用镁合金具有密度小、强度高、耐腐蚀等特点
C.石墨烯具有较强的导电性能,与金刚石互为同系物
D.
芯片常用作半导体器件和集成电路的电子材料,其主要成分为