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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。（）

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第1题

在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于（）处。

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第2题

为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（)或采用无油泵。

A.液氮冷阱

B.净化阱

C.抽气阱

D.无气泵

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第3题

标识X射线的波长决定于（）。

A.管电压

B.管电流

C.靶材料

D.阴极材料

E.X射线管散热能力

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第4题

连续X射线的短波极限决定于（）。

A.管电压

B.管电流

C.靶材料

D.阴极材料

E.X射线管散热能力

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第5题

要得到波长较短的X射线下列最合适的阳极靶材料是（）。

A.铝

B.铅

C.钼

D.铜

E.钨

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第6题

反应堆中主要用（n，γ）反应生产同位素，所生成的同位素与靶材料一般不是同一元素。（）

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第7题

加速器用（p，n）、（d，n）、（α，n）等反应生产同位素，所生产的放射性同位素与靶材料元素一般不相同，故易于化学分离，可进行无载体同位素的生产，从而获得高纯度、高比活度的放射性同位素。（）

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第8题

中子和物质的主要相互作用说法正确的是（)。

A.屏蔽中子，应当使用原子质量数高的物质

B.中子与靶核的非弹性散射会使原子核激发产生γ射线

C.中子主要与原子的核外电子相互作用

D.重核容易发生非弹性散射，所以通常采用铅铁作为中子屏蔽材料

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第9题

在离子束加工时中，哪种加工方式能改变工件表面材料成分（)。

A.离子刻蚀

B.离子注入

C.离子溅射沉积

D.离子镀

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第10题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。（）

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第11题

对于半导体材料，若()，导电能力减弱。

A.环境温度降低

B.掺杂金属元素

C.增大环境光照强度

D.掺杂磷或硼元素

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