首页 > 学历类考试> 成考（专升本）

题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

发生抑制性突触后电位时，膜通透性增大的离子是A Na+ B K+ C Ca2+ D CI- E HCO3-

发生抑制性突触后电位时，膜通透性增大的离子是

A Na+ B K+ C Ca2+ D CI- E HCO3-

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“发生抑制性突触后电位时，膜通透性增大的离子是A Na+ B …”相关的问题

第1题

抑制性突触后电位产生，是由于突触后膜提高了对（）的通透性。

A.钾、钠、氯离子，尤其是钾离子

B.钾、钠、氯离子，尤其是钠离子

C.钙、钾、氯离子，尤其是钾离

D.钾、氯离子，尤其是氯离子

点击查看答案

第2题

膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（）。

点击查看答案

第3题

抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了__的通透性（）

A.氯离子

B.钙离子

C.钠离子

D.镁离子

E.氢离子

点击查看答案

第4题

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）

A.K

B.Na

C.K

D.a

E.Na

点击查看答案

第5题

抑制性突触后电位（IPSP）是由于突触后膜对离子的通透性增加，该离子指的是（）

A.Na+

B.Mg2+

C.K+

D.Cl－

E.Ca2+

点击查看答案

第6题

突触前抑制时，与突触活动有关的变化是（）

A.突触前膜超级化

B.突触前膜不释放神经递质

C.兴奋性突触后电位减小

D.抑制性突触后电位增大

E.到达轴突末梢的兴奋减少

点击查看答案

第7题

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

A.是局部去极化电位

B.具有“全或无”性质

C.是局部超极化电位

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致

点击查看答案

第8题

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）

A.K+ 、Cl-尤其是 K+

B.Na+ 、Cl-尤其是 Na+

C.K+ 、Cl-，尤其是 Cl-

D.a2+、Cl-，尤其是 Ca2+

E.Na+ 、Cl-，尤其是 Cl-

点击查看答案

第9题

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加（）

A.Na，K，尤其是K

B.a，Cl，尤其是Ca

C.Na，Cl，尤其是Na

D.K，Cl，尤其是Cl

E.K，Ca，Na，尤其是Ca

点击查看答案

第10题

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）

A.Na+、C1-、K+,尤其是K+

B.Ca2+、K+、C1-,尤其是Ca2+

C.Na+、K+,尤其是Na+

D.C1-和K+、主要是CI-

E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

点击查看答案

版权所有 ©2024

营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）