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[单选题]

晶体管的控制关系是()

A.基极电压控制集电极电压

B.基极电流控制集电极电流

C.基极电流控制集电极电压

D.基极电压控制集电极电流

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第1题
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同,晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同,晶体管又分为______和______。

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第2题
集成电路调节器是利用(),通过控制磁场电流来达到控制发电机的输出电压的。

A.晶体管的放大特性组成的放大电路

B.晶体管的开关特性组成的单稳态电路

C.晶体管开关特性组成的开关电路

D.晶体管的整流作用组成的整流电路

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第3题
在图NPSI-4(a)所示甲类变压器耦合功率放大器原理电路中,若晶体管采用NSC-4A,Vcc=20V,基极
在图NPSI-4(a)所示甲类变压器耦合功率放大器原理电路中,若晶体管采用NSC-4A,Vcc=20V,基极

直流偏置电压VBB=0.8V,RL=3.9Ω,L1(W1)=10mH,L2(W2)=90mH,变压器耦合系数k=0.9999。当输入信号vi(t)=0.1cos(2πx10³t)(V)时,试画出输出电压波形,并求二次、三次谐波失真系数。

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第4题
电力场效应管(MOSFET)是一种单极型大功率晶体管,属于电压控制型元件。其主要优点是基本上无二次击穿现象,开关频率高,输入阻抗高,驱动功率大,易于并联和保护。()
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第5题
本征晶体管的T形等效电路不需要考虑寄生,因此不需要考虑基极电阻rbb。()
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第6题
可控硅的三个电极分别是()。

A.阴极阳极控制极

B.阴极阳极集电极

C.阴极集电极基极

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第7题
扩散是半导体掺杂的重要方法之一,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。()

此题为判断题(对,错)。

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第8题
工作在放大区的某晶体管,当基极电流从20μA增大到40μA时,集电极电流从1亳安变成2毫安,它的β约为()

A.10

B.50

C.100

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第9题
以下关于晶体管开关电路的描述,正确是()。

A.维电器和晶体管都可以用小电流控制大电流

B.维电器和晶体管都不可以用小电流控制大电流

C.继电器有触点

D.晶体管没有触点

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第10题
晶体管在开关回路中的应用,以下描述错误的是()。

A.不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况

B.可以实现高速开闭

C.不会发生间歇电震

D.不可实现小电流控制大电流

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第11题
场效应管是由多数载流子参与导电,即称单极型晶体管,属于电流控制型半导体器件,其有栅极、漏极和源极三个极。()
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