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试画出处于正常偏置的NPN晶体管的少子分布及载流子输运过程示意图。

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第1题
解释NPN晶体管的电流传输和转换机理,并画出示意图。
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第2题
在图NPSI-4(a)所示甲类变压器耦合功率放大器原理电路中,若晶体管采用NSC-4A,Vcc=20V,基极
在图NPSI-4(a)所示甲类变压器耦合功率放大器原理电路中,若晶体管采用NSC-4A,Vcc=20V,基极

直流偏置电压VBB=0.8V,RL=3.9Ω,L1(W1)=10mH,L2(W2)=90mH,变压器耦合系数k=0.9999。当输入信号vi(t)=0.1cos(2πx10³t)(V)时,试画出输出电压波形,并求二次、三次谐波失真系数。

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第3题
使晶体管处于放大状态的偏置状况是:发射结()偏,集电结()偏。
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第4题
满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。()
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第5题
若晶体管发射结处于反向偏置,则晶体管处于截止状态。()
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第6题
当UCE0,晶体管工作于放大状态。()
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第7题
在正常使用条件下,晶体管的发射结加(),称为正向偏置,集电结加(),称为反向偏置。
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第8题
分压式偏置放大电路用作音频放大器,UCC=12V,现用500型万用表测得UCE=12V则表明()。

A.Ui=0

B.晶体管饱和

C.发射结开路

D.发射结短路

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第9题
放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态,为了使放大器能够正常工作,在静态时晶体三极管的()发射结必须处于正向偏置,集电结必须处于反向偏置。

A.PN结

B.基极

C.发射结

D.发射极

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第10题
晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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第11题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

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