题目内容
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[单选题]
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
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A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
A.人类已能精确地控制原子或分子来制造产品,生产过程很清洁,既无副产品又无废物
B.纳米技术统称为“由底向上”或“由小到大”的加工技术
C.“纳米”是一个相当于约10个氢原子排列起来那样长的长度单位
D.计算机速度越来越快,而体积越来越小,这是光刻技术不断进步的结果
井下巷道沉积煤尘超限是指堆积厚度超过()mm,连续长度超过()m的煤尘。
A.2;2
B.5;2
C.2;5
D.2;10.
A.把1.050进行修约,当修约间隔为0.1时,修约值为1.0
B.把0.35进行修约,当修约间隔为0.1时,修约值为0.3
C.把0.325进行修约,当把它修约成两位有效位数时,修约值为0.033
D.把-355进行修约,当把它修约到“十”数位时,修约值为-36×10
A.饱和状态
B.超固结状态
C.正常固结状态
D.欠固结状态