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第1题
考虑基区宽度调制效应,在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。()
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第2题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第3题
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。
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第4题
以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。
A.降低发射区与基区的方块电阻之比
B.减小基区宽度
C.减小基区自建电场因子
D.提高基区少子寿命和迁移率
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第5题
以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。
A.增加发射区掺杂浓度
B.增加基区掺杂浓度
C.增加集电区掺杂浓度
D.减少发射结结深
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第6题
以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。
A.电子,扩散
B.电子,漂移和扩散
C.空穴,扩散
D.空穴,漂移和扩散
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第7题
由于平面晶体管的基区宽度WB容易做得很小,加上基区中存在加速场,因此平面晶体管的β*与1非常接近。()
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第8题
三极管发射区的作用是向基区发射自由电子,集点结的作用则是收集这些自由电子。()
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第9题
火焰前锋面是一层厚度很薄的火焰面,在这层很薄的火焰面上进行着剧烈的化学反应。火焰前锋面包括预热区和化学反应区。()
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第10题
高压水射流加工能够切割任何材料,但不能切割加工很薄、很软的金属和非金属材料。()
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第11题
碳弧气刨吹出的物质俗称为渣,它实质上是一层很薄的氧化铁和碳化铁等。()
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