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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以电容两端的电压为输入信号，以电容的放电电流作为输出信号，则电容器的动态特性近似于（)。

A.比例环节

B.积分环节

C.理想微分环节

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第1题

在无源功率因数校正电路中，当交流输入电压高于滤波电容两端电压时，滤波电容才开始充电。（）此题为判断题(对，错)。

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第2题

有一开关频率为50kHz的库克变换电路，假设输出端电容足够大，使输出电压保持恒定，并且元件的功率

损耗可忽略，若输入电压Ud=10V，输出电压U0调节为5V不变。试求:

(1)占空比;

(2)电容器C1两端的电压Uc1;

(3)开关管的导通时间和关断时间。

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第3题

电路如图题6.9.2所示。设BIT的型号为2222，V_CC=5V，C_b1=1μ_F，R_b=1，R_e=3.3千欧

，R_si=0及β=210。去掉C_b2和R_L，负载电容C_L=4p_F，直接接到BJT的集电极。当输入电压信号v_n为-5mV~ +5mV的正负方波，其周期分别为100ms和0.1ms，求v₀的波形。

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第4题

已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相（)电路。

A.桥式整流

B.半波整流

C.桥式整流电容滤波

D.半波整流电容滤波

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第5题

以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小

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第6题

一个R、C串联电路，当输入电压为1000Hz、12V时，电路中的电流为2mA，电容电压滞后于电源电压 ;求R

一个R、C串联电路，当输入电压为1000Hz、12V时，电路中的电流为2mA，电容电压滞后于电源电压;求R和C.

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第7题

流过电容的交流电流超前于（)。

A.电容中的漏电流

B.电容上累积的电荷

C.电容上的充放电电压

D.电容两端的交流电压

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第8题

在正弦交流电路中，电容两端的电压u增加时，流过它的电流i也随之增加。（)

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第9题

关于电容的下列说法，错误的是（)。

A.电容在直流稳态电路中相当于断路

B.电容是储能元件

C.电容两端电压不能跃变

D.电容在交流电路中相当于短路

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第10题

两只电容器的电容不等，而它们两端的电压一样，则电容大的电容器带的电荷量多，电容小的电容器带的电荷量少()。此题为判断题(对，错)。

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第11题

电路如图题10.8.10所示，设A₁，A₂均为理想运放，电容C上的初始电压v_c(0)=0V。若v₁

电路如图题10.8.10所示，设A₁，A₂均为理想运放，电容C上的初始电压v_c（0)=0V。若v₁

为0.11V的阶跃信号，求信号加上后一秒钟，v₀₁、v₀₂，v₀₃所达到的数值。

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