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[主观题]

源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数

为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路

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第1题
将电压源vn转换为电流源iL驱动线圈ZL的电压-电流转换器,如图题2.3.8所示。求iL
/vn表达式。(注:电路中为使iL独立于ZL,设)

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第2题
电路如图2-19所示,已知试求各电流源.电压源元件的功率.并说明它们是电源还是负载。

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第3题
题5.12图(a)所示电路中,i(0)=0,输入电压波形如图(b)所示,求i(t)。

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第4题
电路如图题9.6.1所示,试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡,哪个不能,并简述理由。

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第5题
在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r
在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r

ce忽略不计,试求输入电阻R1、输出电阻R0、电流增益Af和源电压增益Aυ.表达式.

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第6题
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

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第7题
在图P9.19的施密特触发电路中,若将输入端VCO经10kΩ电阻接地,如图中所示,试求电路的VT+、V
T-和∆VT。图9.5.1中的比较器Compl和Comp2的输入电流可忽略不计。

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第8题
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第9题
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7

V);(2)在室温(300K)情况下,利用二极管的小信号模型求v0的变化范围。

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第10题
电路如图题3.4.7所示,D1、D2为硅二极管,当vN=6sinwtV时,试用恒压降模型分析电路,绘
出输出电压v0的波形。

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第11题
在题图E6-31所示的源极输出器中,已知UDD=12V,Rs=12kΩ,RG1=1MΩ,RG2=500kΩ,RG=
1MΩ。试求静态值、电压放大倍数AM、输入电阻r1和输出电阻r0。设Vs≈Vc,gm=0.9mA/V。

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