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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在开关电源中,使用功率MOS管而不是用晶体管或双晶体管,这是因为MOS管有很多性能上的优势,主要表现在();

A.放大状态下

B.低频状态下

C.高频状态下

D.饱和状态下

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第1题
以下()不是减小涡流的常用措施。

A.增加涡流的路径

B.在普通钢中加入少量硅

C.使用质量较差的钢

D.采用非晶铁材料

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第2题
在基站市电停电后用油机给开关电源供电的注意事项正确的是()。

A.如果油机功率比较小,而实际负载比较大,那么尽量降低负载容量,例如减少整流器个数,拔掉一组蓄电池或将蓄电池容量设小

B.在发电时必须切断交流市电开关

C.等发电机工作稳定后再接入电源

D.发电机如果是三相的,那么要注意接好零线,并保证油机负载的三相平衡

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第3题
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。

A、互补MOS与非门电路

B、CMOS与非门电路

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第4题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第5题
电力场效益晶体管可应用于DC/DC变换、开关电源便携式电子设备等电子电器设备中,但工作电压还不能太高,电流容量也不能太大,所以目前只适用于小功率电子电力装置。()
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第6题
开关电源中常用的功率开关器件主要有()。
开关电源中常用的功率开关器件主要有()。

A、双极型晶体管BJT

B、快速晶闸管SCR

C、场效应管MOSFET

D、绝缘栅双极性晶体管IGBT

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第7题
N沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件()。
N沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件()。

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第8题
用万用表测量晶体管时,如使用(),可能因电流过大而烧毁小功率的管子。

A.R×1档

B.R×10档

C.R×10k档

D.R×1档和R×10k档

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第9题
‎MOS管中,导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大,从而增加了有效沟道的长度。()‏
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第10题
在晶匣管整流器中,不必设置硒整流器所必需的转换器和饱和电抗器等控制器。()
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第11题
LTE上行采用SCFDMA而不是采用OFDMA的原因是什么?

A.PARP特性好

B.提高了UE的功率利用率,增大上行有效覆盖

C.解调是在时域进行的

D.对终端要求低

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