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[判断题]

受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()

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第1题
霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括()。

A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触

B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

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第2题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第3题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第4题
钻井液电导率受温度影响较大,为了统一标准,在SLZ综合录井仪中通常把测量的电导率换算为()℃的钻井液电导率。

A.15

B.20

C.25

D.30

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第5题
单桩竖向抗拔静载试验,哪个说法正确?

A.为设计提供依据的试验桩,应加载至桩侧岩土阻力达到极限状态或桩身材料达到设计强度

B.工程桩验收检测时,施加的上拔荷载不得小于单桩竖向抗拔承载力特征值的2.0倍或使桩顶产生的上拔量达到设计要求的限值

C.检测时的抗拔桩受力状态,应与设计规定的受力状态一致

D.预估的最大试验荷载不得大于钢筋的设计强度

E.上拔量测量点可安装在受拉钢筋上

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第6题
渐变构成是指基本形态或骨骼逐渐地、有规律地发生变化,它会产生节奏感和韵律感()
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第7题
桂花常有长年只长叶不开花的现象,其主要原因是____A.光照不足B.土壤酸性不足C.肥料不足D.受污染

桂花常有长年只长叶不开花的现象,其主要原因是____

A.光照不足

B.土壤酸性不足

C.肥料不足

D.受污染

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第8题
由于石油产品具有较高的(),故产生静电电荷积聚和静电放电的几率很高。

A.温度

B.流动性

C.电导率

D.电阻率

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第9题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第10题
下列交易或事项中,会引起投资活动产生的现金流量发生变化的有()。

A.向投资者派发现金股利60万元

B.转让一项专利所有权,取得价款200万元

C.购人一项专有技术用于日常经营,支付价款10万元

D.采用权益法核算的长期股权投资,实现投资收益500万元

E.收到长期债券利息20万元

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第11题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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